![엑시노스 AP [ⓒ삼성전자]](https://imgnews.pstatic.net/image/138/2024/04/19/0002171521_001_20240419151501235.jpg?type=w647)
[디지털데일리 옥송이 기자] '절치부심'한 삼성전자의 AP 엑시노스2400이 시장에서 호평을 받고 있는 가운데, 차기 AP인 엑시노스2500은 퀄컴의 스냅드래곤8 4세대보다 성능이 뛰어날 것이란 전망이 제기됐다.
18일(현지시간) IT매체 폰아레나는 해외 유명 IT팁스터인 판다플래시(PandaFlash)를 인용해 엑시노스2500은 2세대3나노미터 공정 노드로 제작되며, TSMC의 2세대3나노미터 노드를 사용하는 스냅드래곤8 4세대보다 에너지 효율이 뛰어나다고 전했다.
그 근거로 GAA를 들었다. 삼성 파운드리에서 생산하는 2세대 3나노미터 노드는 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터를 사용해 에너지 누출을 제한하고 구동 전류를 증가시킨다는 것이다.
반면 TSMC는 2나노미터 생한 전까지 GAA 트랜지스터를 사용하지 않을 것으로 예측된다. 즉 스냅드래곤8 4세대는 기존 핀펫 트랜지스터의 TSMC 2세대 3나노미터 공정으로 제작된다. 제품으로는 아이폰16 프로 등에 탑재될 예정이다.
한편, 삼성 파운드리는 과거 20% 수준에 불과했던 3나노미터 생산 수율을 60%까지 높인 것으로 추정된다.
