대전일보

전량 수입에 의존했던 질화갈륨(GaN) 반도체 기술을 국산화하기 위한 파운드리 시범서비스가 본격 개시된다.

한국전자통신연구원(ETRI)은 국내 처음으로 150나노(0.15um) 질화갈륨 마이크로파집적회로(MMIC) 설계키트(PDK)를 개발해 4일 일반에 공개했다.

질화갈륨(GaN) 반도체는 차세대 반도체 핵심 소재·소자로 스텔스기의 에이사(AESA) 레이더, 6G 통신에 사용되는 등 많은 관심을 받고 있다. 기존 실리콘, 탄화규소, 갈륨비소 반도체의 한계를 극복할 수 있는 대안으로도 꼽힌다. 그러나 제3국으로의 기술 유출이 매우 엄격하게 통제되고 있어 국내 자체 기술을 개발하는 게 매우 중요한 상황이다.

ETRI는 지난 15년 동안 다양한 주파수 대역에서 이를 활용하기 위한 GaN 반도체 연구를 꾸준히 진행해 왔다.

150나노 GaN 반도체는 오직 전 세계에서 6개 기관에서만 파운드리 생산이 가능하다. ETRI는 지난 36년간 팹(Fab)을 운영하며 기술을 축적, GaN 반도체를 개발하는 데 성공했다.

그동안 국내 화합물 반도체 관련 기업들은 자체 칩을 만들기 위해서 외국 파운드리 업체에 전면 의존해왔다. 이 과정에서 설계·공정 등 개발 기간이 오래 걸려 시스템 검증이나 납기 등에 어려움을 겪었고, 경쟁력마저 떨어졌다.

ETRI는 이번 연구성과를 기반으로 K-방산 등 반도체 관련 기업을 적극 지원할 예정이다. 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스를 위해 이달 중 제안서를 접수받고, 4개 기업을 선정한 후 하반기 1차 파운드리 서비스를 시작한다. 내년과 2026년에도 각 4개 기업을 선정, 3년 동안 총 12개 기업에 대한 수요를 받아 칩 생산까지 무료로 책임질 방침이다.

방승찬 ETRI 원장은 "그동안 해외업체에 종속돼 있던 GaN 부품 공정의 자립화를 선도하게 됐다"며 "차세대 이동통신과 레이다 등에 쓰이는 고출력 GaN 소자 국산화를 이뤄내 수출 규제에 대응하고, 국제기술 경쟁에도 큰 도움이 될 전망"이라고 했다.